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主營:. 高壓貼片電容;高壓電容;貼片電容
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[供應]CCT|貼片陶瓷電容|驅動電源|專用1812 X7R 100V 106
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  • 產(chǎn)品產(chǎn)地:臺灣
  • 產(chǎn)品品牌:CCT TDK
  • 包裝規(guī)格:1812 X7R 100V 106K
  • 產(chǎn)品數(shù)量:0
  • 計量單位:K
  • 產(chǎn)品單價:0
  • 更新日期:2024-08-31 16:09:29
  • 有效期至:2034-08-29
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CCT|貼片陶瓷電容|驅動電源|專用1812 X7R 100V 106 詳細信息

CCT|貼片陶瓷電容|驅動電源|專用1812 X7R 100V 106K

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陶瓷積層貼片電容優(yōu)勢與特性:

1.可以用做出小體積大容量的產(chǎn)品。

2。有助于提高生產(chǎn)效率,可以自動化生產(chǎn)。

3.使用貴金屬生產(chǎn),高穩(wěn)定性,耐高溫,可靠性好,壽命長。

4.可以替代CBB,鋁電解,使電子產(chǎn)品小型化,節(jié)省空間。產(chǎn)品更美觀,性能更優(yōu)越。

5。陶瓷電ESR小,可以用在部分高頻電路,產(chǎn)品工作效率更高。

高壓貼片電容的特性:

1.利用貼片陶瓷電容器介質層的薄層化和多層疊層技術,使電容值大為擴大
2.單片結構保證有極佳的機械性強度及可靠性
3.極高的精確度,在進行自動裝配時有高度的準確性
4.因僅有陶瓷和金屬構成,故即便在高溫,低溫環(huán)境下亦無漸衰的現(xiàn)象出現(xiàn),具有較強可靠性與穩(wěn)定性
5.低集散電容的特性可完成接近理論值的電路設計
6.殘留誘導系數(shù)小,確保上佳的頻率特性
7.因電解電容器領域也獲得了電容,故使用壽命延長,更造于具有高可靠性的電源
8.由于ESR低,頻率特性良好,故最適合于高頻,高密度類型的電源

高壓貼片電容廣泛用于:高頻無極燈電源, LED恒流驅動電源,汽車HID(安定器),模塊電源、LED阻容降壓、ASDL語音分離器、RJ45以太網(wǎng)接口、數(shù)碼相機的閃光燈、LED圣誕燈,節(jié)能燈等以及各類電子產(chǎn)品中.

主要用于電源濾波,電源降壓,倍壓,吸收浪涌保護IC,  基本工作原理就是充電放電,當然還有整流、振蕩以及其它的作用等作用。應用于電源電路,實現(xiàn)旁路、去藕、濾波和儲能

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  高壓貼片電容
  高壓貼片電容又名陶瓷多層片式電容器,是一種用陶瓷粉生產(chǎn)技術,內部為
  
  貴金屬鈀金,用高溫燒結法將銀鍍在陶瓷上作
  為電極制成。產(chǎn)品分為高頻瓷介NPO(COG)和低頻瓷介X7R兩種材質。NPO具有小
  
  的封裝體積,高耐溫度系數(shù)的電容,高頻性
  能好,用于高穩(wěn)定振蕩回路中,作為電路濾波電容。X7R瓷介電容器限于在工作
  
  普通頻率的回路中作旁路或隔直流用,或對穩(wěn)定
  性和損耗要求不高的場合,這種電容器不宜使用在交流(AC)脈沖電路中,因為
  
  它們易于被脈沖電壓擊穿,所以不建義使用在
  交流電路中。
  
  高壓貼片電容分三類:
  一類為溫度補償型NPO介質
  NP0又名COG電氣性能最穩(wěn)定,基本上不隨溫度、電壓、時間的改變,屬超穩(wěn)定型
  
  、低損耗電容材料類型,適用在對穩(wěn)定性
  、可靠性要求較高的高頻、特高頻、甚高頻電路中。
  二類為高介電常數(shù)型X7R介質
  X7R是一種強電介質,因而能制造出容量比NPO介質更大的電容器。這種電容
  
  器性能較穩(wěn)定,隨溫度、電壓時間的改變,
  其特有的性能變化并不顯著,屬穩(wěn)定電容材料類型,使用在隔直、耦合、傍路、
  
  濾波電路及可靠性要求較高的中高頻電路中。
  三類為半導體型X5R介質
  X5R具有較高的介電常數(shù),常用于生產(chǎn)比容較大、標稱容量較高的大容量電
  
  容器產(chǎn)品。但其容量穩(wěn)定性較X7R,容量、
  損耗對溫度、電壓等測試條件較敏感,主要用在電子整機中的振蕩、耦合、濾波
  
  及傍路電路中。
  
  優(yōu)點:封裝體積小,質量穩(wěn)定,絕緣性能高,耐高壓缺點:容量較小,目前
  
  最大100UF,易于被脈沖電壓擊穿。
  
  性能參數(shù):
  1.材質NPO(COG)。X7R.X5R.Y5V
  2.容量0.1PF-100PF-1NF-1UF-100UF
  3.電壓6.3V-100V-1KV-2KV-5KV
  4.封裝0201-0805-1206-1812-2225
  
溫度特性:NPO:≤±30ppm/,-55125(EIA:ClassI)

X7R:≤±15%,-55125(EIA:ClassII)

容量范圍:NPO:2pFto100nF X7R:150pFto2.2uF

損失角正切(tan):NPO:Q≥1000 X7R:D.F.≤2.5%

絕緣電阻:10GΩ500/CΩ取兩者最小值

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