陶瓷積層貼片電容優(yōu)勢(shì)與特性:
1.可以用做出小體積大容量的產(chǎn)品。
2。有助于提高生產(chǎn)效率,可以自動(dòng)化生產(chǎn)。
3.使用貴金屬生產(chǎn),高穩(wěn)定性,耐高溫,可靠性好,壽命長(zhǎng)。
4.可以替代CBB,鋁電解,使電子產(chǎn)品小型化,節(jié)省空間。產(chǎn)品更美觀,性能更優(yōu)越。
5。陶瓷電容ESR小,可以用在部分高頻電路,產(chǎn)品工作效率更高。
高壓貼片電容的特性:
1.  利用貼片陶瓷電容器介質(zhì)層的薄層化和多層疊層技術(shù),使電容值大為擴(kuò)大
2.單片結(jié)構(gòu)保證有極佳的機(jī)械性強(qiáng)度及可靠性
3.極高的精確度,在進(jìn)行自動(dòng)裝配時(shí)有高度的準(zhǔn)確性
4.因僅有陶瓷和金屬構(gòu)成,故即便在高溫,低溫環(huán)境下亦無(wú)漸衰的現(xiàn)象出現(xiàn),具有較強(qiáng)可靠性與穩(wěn)定性
5.低集散電容的特性可完成接近理論值的電路設(shè)計(jì)
6.殘留誘導(dǎo)系數(shù)小,確保上佳的頻率特性
7.因電解電容器領(lǐng)域也獲得了電容,故使用壽命延長(zhǎng),更造于具有高可靠性的電源
8.由于ESR低,頻率特性良好,故最適合于高頻,高密度類型的電源
2.   
工作溫度范圍: -55~125℃
額定電壓: 100VDC~3000VDC
溫度特性: NPO:≤±30ppm/℃,-55~125℃(EIA Class I)        X7R:≤±15%,-55~125℃(EIA Class II)
容量范圍: NPO:2pF to 100nF X7R:150pF to
2.2uF
損失角正切(tanδ): NPO:Q≥1000;X7R:D.F.≤2.5%
絕緣電阻:10GΩ 或 500/C Ω 取兩者最小值
老化速率: NPO:1% X7R:2.5% 一個(gè)decade時(shí)間
介質(zhì)電耐電壓: 100V ≤ V <500V  :200%
額定電壓      500V ≤ V <1000V :150%額定電壓                           
1000v≤ V                :120%額定電壓
介質(zhì)耐電壓:100V-1000V范圍內(nèi),可承受1.5倍額定電壓。1000V以上:可承受1.2倍額定電壓。
電壓越高,所能做出的容量越低,生產(chǎn)周期4-6周
高壓貼片電容特性:
1.等效串聯(lián)電阻(ESR)小,阻抗(Z)低,與同等鉭電容或者鋁電解電容相比,ESR小幾十倍,能量利用率高,發(fā)熱小,價(jià)格低。
2.品種,規(guī)格齊全,體積小。容量從10pF到47uF,耐壓從10V-6000V,體積最小可以達(dá)到1X0.5mm.
3.無(wú)極性,可以使用在存在非常高的紋波電路或交流電路,而且裝配更為方便。
4.性能穩(wěn)定,即使被擊穿也不會(huì)燃燒,安全性高。
應(yīng)用于電子精密儀器。各種小型電子設(shè)備作諧振、耦合、濾波、旁路。
低容量電容NP0材料(10-6800pF):適用頻率1-100MHz
1.溫度系數(shù):0±30ppm/℃,-55℃~125℃;
2.電容量漂移:不超過(guò)±0.3%或±0.05pF(取較大者)。
3.老化特性:無(wú)
高容量電容X7R材料(6800pF以上):適用頻率不超過(guò)10KHz
1.溫度特性:不超過(guò)±15%,-55℃~125℃。
2.老化特性:每10年變化1%ΔC,表現(xiàn)為10年變化約5%。
工作溫度為環(huán)境溫度與元件本體溫升之和。
降額設(shè)計(jì)
設(shè)計(jì)者在選用電容器工作電壓時(shí),應(yīng)考慮施加在電容器兩端的直流電壓與交流電壓峰值之和不能超過(guò)額定電壓。為保證產(chǎn)品及線路的可靠性,在實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí)建議降額使用
使用注意事項(xiàng)
工作溫度
電容器設(shè)計(jì)類別溫度范圍有?55℃~125℃、?55℃~85℃兩種,設(shè)計(jì)者必須確保工作溫度符合此范圍。為延長(zhǎng)電容器的使用壽命,推薦工作溫度限制在低于上限類別溫度10℃~15℃。設(shè)計(jì)者考慮電容器的
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