深圳市宏日環(huán)??萍加邢薰?/span>

主營:TVS瞬態(tài)抑制二極管
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[供應(yīng)]肖特基二極管批發(fā)/SMA封裝型式肖特基二極管廠家
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  • 產(chǎn)品產(chǎn)地:廣東省深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座2703
  • 產(chǎn)品品牌:深圳市賽特微電子
  • 包裝規(guī)格:無
  • 產(chǎn)品數(shù)量:10000
  • 計(jì)量單位:套
  • 產(chǎn)品單價(jià):1
  • 更新日期:2016-03-21 21:02:15
  • 有效期至:2017-03-21
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肖特基二極管批發(fā)/SMA封裝型式肖特基二極管廠家 詳細(xì)信息

肖特基二極管批發(fā)/SMA封裝型式肖特基二極管廠家
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢壘二極管,它是一種熱載流子二極管。
肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極,以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極,利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子,貴金屬中僅有極少量的自由電子,所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴(kuò)散。顯然,金屬A中沒有空穴,也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A,B表面電子濃度逐漸降低,表面電中性被破壞,于是就形成勢壘,其電場方向?yàn)锽→A。但在該電場作用之下,A中的電子也會(huì)產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動(dòng),從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而形成的電場。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后,電場引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對的平衡,便形成了肖特基勢壘。
典型的肖特基整流管的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)是以N型半導(dǎo)體為基片,在上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅(SiO2)來消除邊緣區(qū)域的電場,提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻,其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊形成N+陰極層,其作用是減小陰極的接觸電阻。通過調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù),N型基片和陽極金屬之間便形成肖特基勢壘,如圖所示。當(dāng)在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極,N型基片接電源負(fù)極)時(shí),肖特基勢壘層變窄,其內(nèi)阻變?。环粗?,若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時(shí),肖特基勢壘層則變寬,其內(nèi)阻變大。
綜上所述,肖特基整流管的結(jié)構(gòu)原理與PN結(jié)整流管有很大的區(qū)別通常將PN結(jié)整流管稱作結(jié)整流管,而把金屬-半導(dǎo)管整流管叫作肖特基整流管,采用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已問世,這不僅可節(jié)省貴金屬,大幅度降低成本,還改善了參數(shù)的一致性
肖特基二極管分為有引線和表面安裝(貼片式)兩種封裝形式。 采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護(hù)二極管使用。它有單管式和對管(雙二極管)式兩種封裝形式。肖特基對管又有共陰(兩管的負(fù)極相連)、共陽(兩管的正極相連)和串聯(lián)(一只二極管的正極接另一只二極管的負(fù)極)三種管腳引出方式
貨源類別:現(xiàn)貨  是否庫存:是 
            產(chǎn)地:常熟  主圖來源:實(shí)拍
特色標(biāo)志:庫存
材料:鋁
封裝材料:塑料封裝
電流容量:16
最大整流電流:2A
封裝形式:引線和表面安裝
結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型
品牌:VISHAY
型號:3EZ170
類別:貼片
最大反向電壓:100V

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