武漢黌門電工科技有限公司

AA?？谌嵝允珡S家第三代半導體
公司名稱：武漢黌門電工科技有限公司
聯(lián)系電話：18163553099
官方網站：whhmdg/
地址：武大科技園興業(yè)樓北樓1-1002
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產品介紹：
石墨基柔性接地體是武漢黌門電工科技有限公司研發(fā)的國家發(fā)明專利產品，采用柔化工藝將具有良好導電性和耐腐性的石墨進行柔化改性，使其電氣性能、理化性能、力學性能滿足防雷接地技術及工程施工要求，徹底解決輸電線路桿塔、變電站、發(fā)電廠、通訊基站、鐵路、港口碼頭、油氣設施、建筑等工業(yè)及民用接地設施腐蝕及接地電阻不穩(wěn)定問題，實現(xiàn)接地工程永久免維護！

其主要技術特征表現(xiàn)為以下8個方面
1）良好的耐腐性，適應我國任何土壤類型
構成石墨基柔性接地體的所有成分均具有良好的耐腐性，能經受濱海地區(qū)的氯化物鹽土，新疆、甘肅、寧夏、內蒙的硫酸鹽鹽土，東北、山西的蘇打鹽土，廣西、貴州和云南等的喀斯特土壤等各類土壤的腐蝕，壽命不低于30年。能經受降阻劑、抗凍劑、綠化化肥及殺蟲劑的腐蝕，擴大了降阻技術的應用面
2）與土壤具有良好的粘結性，與土壤的接觸電阻低值穩(wěn)定
石墨基柔性接地體截面大，表面粗糙構成細孔，能和土壤緊密咬合粘接，可隨土壤一起蠕變而不脫離產生空氣界面，在土壤季節(jié)性干裂、融水沉降、冰凍、凍土融化產生蠕變的情況下，接地體與土壤的接觸電阻始終保持穩(wěn)定的低值。
3）大電流沖擊下良好的動熱穩(wěn)定性，溫升低避免土壤燒結
石墨基柔性接地體采用大截面電流分散技術降低發(fā)熱功率密度，采用比熱容大的材料提高吸熱能力，采用土壤水分滲透技術限制溫升，在大電流雷電和短路情況下接地體性能穩(wěn)定，同時避免高溫引起接地體接觸面土壤的燒結。
4）采用非磁性材料大大延長有效接地長度，成為大地網降阻的唯一選擇
石墨基柔性接地體為非導磁材料，在工頻及雷擊高頻沖擊下其有效散流長度遠遠大于鋼材類接地體，可使大地網工頻接地電阻成倍下降，是大型電廠、變電站地網降阻的唯一選擇。
5）具有良好的工程性，運輸、開挖、回填等變得簡單易行
石墨基柔性接地體比重為金屬類接地體的1/10，輕便易運輸；可蛇形開挖，避開巖石、樹木，開挖量少，不破壞綠化；可泥漿回填，回填緊致；接地體壓接互聯(lián)，無需焊接，無需電源焊機等現(xiàn)場要求。
6）石墨基柔性接地體取代金屬類接地材料，良好的技術經濟性
經濟效益：一次投入，長期穩(wěn)定，免去安規(guī)要求的定期檢測接地電阻，避免接地改造的重復性投入，節(jié)約人力物力，全壽命周期成本（LCC）最低
提高資源利用率：接地系統(tǒng)長期出于休眠狀態(tài)，只有發(fā)生雷擊或短路時發(fā)揮作用，雷擊或短路是極小概率事件，不該浪費珍貴的鋼材銅材。
7）無回收價值，可避免偷盜
8）石墨基柔性接地體取代金屬類接地材料，減排減霾，實現(xiàn)良好的社會效益
每消耗一噸鋼材（相當于平均1個桿塔的接地用量）等同于消耗240kg標準煤及3.5噸新水，同時排放600kg左右的CO2、30kg左右的SO2和NOX及160kg左右的炭灰，而銅則更是寶貴的有色金屬資源。這些材料一旦埋入地下就難以回收再利用，所以傳統(tǒng)的金屬性接地工程既高能耗也高排放。其主材石墨原料在我國儲量極其豐富，生產加工過程能耗低，不排放任何污染物

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2017-12-1811:03:34百方網【中國電工電氣網】訊12月16日，第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲在半導體發(fā)展戰(zhàn)略研討會上表示，2018年是第三代半導體產業(yè)化準備的關鍵期。到2025年，第三代半導體器件將在移動通信、高效電能管理中國產化率占50%LED通用照明市場占有率達到80%，核心器件國產化率達到95%第三代半導體器件在新能源汽車、消費類電子領域實現(xiàn)規(guī)模應用。第三代半導體是以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料。目前，第一代、第二代半導體技術在光電子、電力電子和射頻微波等領域器件性能的提升已經逼近材料的物理極限，難以支撐新一代信息技術的可持續(xù)發(fā)展，難以應對能源與環(huán)境面臨的嚴峻挑戰(zhàn)，難以滿足高新技術及其產業(yè)發(fā)展，迫切需要發(fā)展新一代半導體技術。中微半導體副總經理季華認為，第三代半導體產業(yè)化需要從全產業(yè)鏈考慮，不僅是制造和設備，還包括關鍵零部件。同時，國產設備企業(yè)需要參與全球競爭，才能夠實現(xiàn)健康穩(wěn)健發(fā)展。吳玲還稱，我國第三代半導體創(chuàng)新發(fā)展的時機已經成熟，處于重要窗口期。但目前仍面臨多重緊迫性。其中，光電子材料和器件領域與國際先進水平相比處于并跑狀態(tài)功率半導體材料和器件、射頻材料和器件與國際先進水平相比處于跟跑狀態(tài)。目前國際上已經有近10家企業(yè)具有商業(yè)化產品，英飛凌量產器件2018年將大規(guī)模推出。此外，還有產業(yè)