石墨烯系列產(chǎn)品 >> CVD碳化硅襯底單層石墨烯|CVDSiC襯底單層石墨烯 >> CVD碳化硅襯底單層石墨烯|CVDSiC襯底單層石墨烯 產(chǎn)品編號:11110365316產(chǎn)品名稱:CVD碳化硅襯底單層石墨烯|CVDSiC襯底單層石墨烯規(guī)格:產(chǎn)品備注:產(chǎn)品類別:石墨烯系列產(chǎn)品    產(chǎn)品說明通常,石墨烯大多是在金屬表面上用CVD技術(shù)生長的,在微電子或電子器件的應(yīng)用中不得不將其從導(dǎo)電的金屬上用化學(xué)方法剝離,將其置于分離的襯底上再應(yīng)用。這在器件的制備上存在很大的局限性,而在半絕緣(高阻)SiC襯底上生長的石墨烯可以直接用來制備電子器件,如高頻電子器件、光電子器件及量子器件等,尤其是在SiC襯底上用CVD技術(shù)生長的石墨烯與CMOS工藝兼容,因而無需進(jìn)行襯底轉(zhuǎn)移,即可應(yīng)用于電子器件研制。在4H和6H型SiC襯底上生長單層/雙層和三層石墨烯晶型晶體性質(zhì)石墨烯生長面石墨烯4H-SiC半絕緣型4H-SiC的Si面4H-SiC的C面P型或N型4H-SiC導(dǎo)電型4H-SiC的Si面4H-SiC的C面—6H-SiC半絕緣型6H-SiC的Si面6H-SiC的C面P型或N型6H-SiC導(dǎo)電型6H-SiC的Si面6H-SiC的C面—標(biāo)準(zhǔn)尺寸10mmx10mm,15mmx15mm,2英寸x2英寸,4英寸x4英寸標(biāo)準(zhǔn)尺寸φ2英寸,φ3英寸,φ4英寸,φ5英寸,φ6英寸定制尺寸根據(jù)客戶要求 描述:● 生長方法:CVD生長● 覆蓋率:100%● 石墨烯層數(shù):1層,2層,3層● 單層厚度:0.345nm● 載流子密度:N型5x1011-1.5x1013cm-2,P型1x1013-1.5x1013cm-2● N型遷移率:3000cm2/Vs● P型遷移率:可達(dá)6500乃至8000cm2/Vs(溫度:300K) 應(yīng)用● 高頻電子器件● 光電子器件● 量子器件● 自旋電子學(xué)● 光電探測器● 新碳電子學(xué)● 石墨烯半導(dǎo)體芯片● 石墨烯計(jì)算機(jī)存儲器● 生物技術(shù)● 生物傳感器
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