DLT-D型電子水處理器選用說明 :
1.設(shè)備選型
①.選型前,必須要有明確的水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn),工作壓力,工作溫度,流速等。
②.選型前,也必須明確系統(tǒng)的排污方式、自動(dòng)化要求。
2.設(shè)備安裝
①.設(shè)備的安裝位置離冷卻設(shè)備越近,處理效果越佳;但離墻面、主體設(shè)備的距離宜大于400mm;
②.最好為旁通式安裝,以滿足在不停機(jī)狀態(tài)下檢修設(shè)備的需要。
  ③.對(duì)于防爆型電子水處理器,在設(shè)備安裝時(shí):
a.該設(shè)備自帶5m電源線,供用戶在安全區(qū)接線或接防爆開關(guān);
b.若電源線長(zhǎng)度不夠,必須在爆炸危險(xiǎn)區(qū)內(nèi)設(shè)置中間接頭,且接頭應(yīng)置于符合相應(yīng)區(qū)域等級(jí)的防爆類型的接線盒內(nèi),嚴(yán)禁在1區(qū)和不應(yīng)在2區(qū)設(shè)置沒有特殊防護(hù)的中間接頭;
c.用戶可參照本產(chǎn)品電源線規(guī)格配接電源線,采用多股銅芯電纜,盡量不要采用單股鋁芯電纜。電纜應(yīng)采用電纜溝敷設(shè)或其它保護(hù)措施;
d.該設(shè)備應(yīng)盡可能水平安裝。
DLT-D型電子水處理器的工作原理:
            由主機(jī)產(chǎn)生高頻電場(chǎng)對(duì)水進(jìn)行處理, 使原有的大締合體狀態(tài)水的結(jié)合鍵被深度打斷, 離解成活性很強(qiáng)的單分子或小締合體狀態(tài)的水,從而改變了水的物理結(jié)構(gòu)與特性, 增強(qiáng)了水分子的極性,增大了水分子的偶極矩,提高了水分子對(duì)鈣鎂離子、碳酸根離子等成垢組份的水合能力,起到阻止水垢形成的作用。同時(shí),在變頻電磁場(chǎng)的作用下,使原有的水垢結(jié)晶體逐漸變得松軟、脫落、溶解,從而達(dá)到除垢之目的。
              高頻電磁場(chǎng)水應(yīng)用于防垢,是由于存在大量的“離子締合體”或“顆粒締合體”, 在水溶液中提供了大量的結(jié)晶核心。結(jié)晶核心越多,生成的結(jié)晶數(shù)量也越多,水垢結(jié)晶的線性尺寸就越小。此外,由于單個(gè)或雙氫聯(lián)結(jié)的水分子數(shù)量增多,水分子的活動(dòng)更“自由”,它占據(jù)水溶液的其它空隙,象形成極薄的膜一樣,因而阻礙晶體生長(zhǎng),促使水垢結(jié)晶線性尺寸減小,使水垢呈松軟的細(xì)小顆粒,隨排污水排除。
            氧化腐蝕和垢下原電池腐蝕是水系統(tǒng)管道及設(shè)備腐蝕和生銹的主要原因,而在高頻電磁場(chǎng)作用下,水垢得以控制和去除,溶解氧與水分子結(jié)合不易析出,從而抑制氧化腐蝕和垢下原電池腐蝕的發(fā)生,起到良好的防腐阻銹的作用。
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