合肥市聯(lián)信電源有限公司

逆變電源的構(gòu)成除了包括逆變電路和控制電路外，還要有輸入、輸出電路，輔助電路和保護(hù)電路。今天聯(lián)信電源就和大家談?wù)勀孀冸娫垂β书_(kāi)關(guān)的選擇。
      小容量逆變電源因?yàn)檩敵鋈萘啃?，電壓和電流不大，因此開(kāi)關(guān)器件多選用電力MOSFET。而大容量正弦波輸出的逆變電源因其電壓電流一般都比較大，因此多采用IGBT作為它的開(kāi)關(guān)器件。  
      本文主要研究的是50Hz，1kW的低頻逆變電源。基于以上的分析，主電路采用MOSFET作為開(kāi)關(guān)器件。
      MOSFET型號(hào)的選擇可以從器件的電壓等級(jí)和電流等級(jí)兩個(gè)方面加以考慮。假定逆變器最高直流輸入電壓為Uimax，則采用全橋逆變電路時(shí)每個(gè)開(kāi)關(guān)器件所承受的電壓即為UimaxN1/N2.考慮電壓尖峰影響，實(shí)際開(kāi)關(guān)器件所承受的最高電壓要比這個(gè)高得多，其大小與吸收電路吸收電壓尖峰的能力有關(guān)。在這里我們由于逆變器最高直流輸入電壓為285V，所以我們選用耐壓等級(jí)為600V的MOSFET. 
      器件的電流等級(jí)要根據(jù)它所通過(guò)的最大峰值電流來(lái)確定。假定系統(tǒng)輸出功率為Po，變壓器的變比為21NN，假設(shè)系統(tǒng)的過(guò)載系數(shù)為1.2，逆變橋中每個(gè)MOSFET電流應(yīng)力為變壓器原邊最大電流，則逆變橋中每個(gè)MOSFET中流過(guò)的電流峰值為:Im=3I1m=3*5.5*1.87≈31(A).此外，考慮電流紋波以及反并聯(lián)二極管反向恢復(fù)尖峰電流等因素的影響，選MOSFET的電流定額為36A。