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                  SBD1107-YQL40 免維護節(jié)能防爆吸頂燈

應(yīng)用范圍：                                                                                                                                 
      SBD1107-YQL40適用于‖A、‖B、‖C類含有爆炸性氣體或蒸汽環(huán)境，溫度組別為T1～T4的1區(qū)、2區(qū)室內(nèi)外危險場所或20區(qū)、21區(qū)22區(qū)爆炸性或可燃性粉塵室內(nèi)外場所的一般照明或應(yīng)急照明

、材質(zhì)特點：
      防爆型式隔爆型，SBD1107-YQL40適用于爆炸性氣體環(huán)境場所作照明使用。
      燈具為整體式結(jié)構(gòu)，SBD1107-YQL40內(nèi)裝光源和鎮(zhèn)流器等電器。
      SBD1107-YQL40外殼由鋁合金壓鑄成型，外殼表面聚酯粉末噴涂，具有良好的耐腐蝕性能。
      玻璃罩鋼化處理，透光率高，安全耐沖擊。
      燈具設(shè)有橡膠密封墊，密封可靠，防護性能好。
      SBD1107-YQL40適用于吸頂安裝。
      SBD1107-YQL40可另配置防爆應(yīng)急電源裝置，當(dāng)供電網(wǎng)絡(luò)突發(fā)故障正常照明停止后，燈具能在瞬間自動切換到應(yīng)急照明狀態(tài)。應(yīng)急事件60至90分鐘二檔可選。
      SBD1107-YQL40適用電磁感應(yīng)燈光源。光源具有超長使用壽命、發(fā)光效率高、光線柔和、抗震性能好等優(yōu)點，長期使用免維護。

三、技術(shù)參數(shù)：
      防爆標志：Exed‖CT4。粉塵防爆標志：DIP A20 TA.T4
      外殼防護等級：IP66。
      防腐等級：WF2。
      適用光源：電磁感應(yīng)燈50W。
      額定工作電壓：220V、50Hz。
      引入口：G3/4“或φ44mm。
      電纜外徑：φ9～φ12.5mm

　半導(dǎo)體PN結(jié)在正向偏置時電流很大，反向偏置時電流很小。整流二極管就是利用PN結(jié)的這種單向?qū)щ娞匦詫⒔涣麟娏髯優(yōu)橹绷鞯囊环NPN結(jié)二極管。通常把電流容量在1安以下的器件稱為整流二極管，1安以上的稱為整流器。常用的半導(dǎo)體整流器有硅整流器和硒整流器，產(chǎn)品規(guī)格很多，電壓從幾十伏到幾千伏，電流從幾安到幾千安。整流器廣泛用于各種形式的整流電源中。  整流器大功率整流電源要求整流器的電流容量大、擊穿電壓高、散熱性能好，但這種器件的結(jié)面積大、結(jié)電容大，因而工作頻率很低，一般在幾十千赫以下。硅材料的禁帶寬度較大，導(dǎo)熱性能良好，適于制作大功率整流器件。在耐高壓的整流裝置中常采用高壓硅堆，它由多個整流器件的管芯串聯(lián)組成，其反向耐壓由管芯的耐壓及串聯(lián)管芯數(shù)決定，最高耐壓可達幾百千伏。如果高頻整流電路用于很高頻率下，當(dāng)交流電壓的周期與整流器通態(tài)到關(guān)態(tài)的恢復(fù)時間相當(dāng)時，整流器對高頻電壓不再起整流作用。為適應(yīng)高頻工作的需要，通常在硅整流器中采用摻金的方法，以縮短注入少數(shù)載流子的壽命，從而達到減小恢復(fù)時間的目的。

　　為了減小器件因過壓擊穿造成損壞的可能性和提高整流裝置的可靠性，可采用硅雪崩整流器。在這種器件中，當(dāng)反向電壓超過允許峰值時，在整個PN結(jié)上發(fā)生均勻的雪崩擊穿，器件可工作在高壓大電流下，故能承受相當(dāng)大的反向浪涌功率。制作這種器件時要求材料缺陷少，電阻率均勻，結(jié)面平整，外露結(jié)區(qū)還應(yīng)進行適當(dāng)保護，避免發(fā)生表面擊穿。硒整流器的抗過載容量大，承受反向浪涌功率的能力也較強。

2作用

　　整流器是一個整流裝置，簡單的說就是將交流（AC）轉(zhuǎn)化為直流（DC）的裝置。它有兩個主要功能：

　　第一，將交流電（AC）變成直流電(DC)，經(jīng)濾波后供給負載，或者供給逆變器；

　　  ^[1]第二，給蓄電池提供充電電壓。因此，它同時又起到一個充電器的作用。

3三極管參數(shù)

　　三極管的hFE參數(shù)與貯存時間ts相關(guān)，一般hFE大的三極管ts也較大，過去人們對ts的認識以及ts的測量儀器均較為欠缺，人們更依賴hFE參數(shù)來選擇三極管。

　　整流器在開關(guān)狀態(tài)下，hFE的選擇通常有以下認識：第一、hFE應(yīng)盡可能高，以便用最少的基極電流得到最大的工作電流，同時給出盡可能低的飽和電壓，這樣就可以同時在輸出和驅(qū)動電路中降低損耗。

　　但是，如果考慮到開關(guān)速度和電流容限，則hFE的最大值就受到限制；第二、中國的廠家曾經(jīng)傾向于選用hFE較小的器件，例如hFE為10到15，甚至8到10的三極管就一度很受歡迎(后來，由于基極回路流行采用電容觸發(fā)線路，hFE的數(shù)值有所上升)，hFE的數(shù)值小則飽和深度小，從而有利于降低晶體管的發(fā)熱。

　　實際上，晶體管的飽和深度受到Ib、hFE兩個因素的影響，因而通過磁環(huán)及繞組參數(shù)、基極電阻Rb的調(diào)整，也可以降低飽和深度。