江蘇實(shí)為半導(dǎo)體科技有限公司-肇慶MOCVD過(guò)濾器配套設(shè)備價(jià)格1234a3211
是國(guó)內(nèi)前列的MOCVD等半導(dǎo)體設(shè)備的核心部件和耗材供應(yīng)商。由唐山實(shí)為半導(dǎo)體和海外專家陳景升共同投資組建,公司注冊(cè)資金2000萬(wàn),總部在邳州,并在蘇州設(shè)有辦事處。我國(guó)的半導(dǎo)體制造業(yè)在近年有了長(zhǎng)足發(fā)展,但所使用的設(shè)備還主要來(lái)自國(guó)外,如MOCVD主要從美國(guó)和德國(guó)進(jìn)口。1234a3211
VeecoSomitJoshi在“用于提高功率器件性能的硅基氮化鎵MOCVD進(jìn)展”的演講中表示,新興的中/高電壓應(yīng)用在電力供應(yīng),替代能源以及數(shù)據(jù)中心,都需要更高的功率效率,滿足較高的工作溫度以及更小的系統(tǒng)規(guī)模。氮化硅在這些參數(shù)上遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于硅。1234a3211
由于工藝的嚴(yán)苛要求,這些設(shè)備在使用過(guò)程中有些關(guān)鍵部件只有一定壽命,需要定期更換。同時(shí)這些部件的技術(shù)升級(jí)對(duì)于提升設(shè)備整體的性能非常有效。目前這些備件主要是從國(guó)外大量進(jìn)口,價(jià)格昂貴并且技術(shù)升級(jí)緩慢,國(guó)產(chǎn)化替代的需求十分強(qiáng)烈,市場(chǎng)前景非常廣闊。結(jié)合我司技術(shù)團(tuán)隊(duì)多年在國(guó)外從事半導(dǎo)體研發(fā)的經(jīng)驗(yàn),通過(guò)刻苦攻關(guān),我司填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)商用大功率MOCVD加熱器的空白,受到客戶的高度肯定。-肇慶MOCVD過(guò)濾器配套設(shè)備價(jià)格1234a3211MOCVD設(shè)備將Ⅱ或Ⅲ族金屬有機(jī)化合物與Ⅳ或Ⅴ族元素的氫化物相混合后通入反應(yīng)腔,混合氣體流經(jīng)加熱的襯底表面時(shí),在襯底表面發(fā)生熱分解反應(yīng),并外延生長(zhǎng)成化合物單晶薄膜。與其他外延生長(zhǎng)技術(shù)相比,MOCVD技術(shù)有著如下優(yōu)點(diǎn):1、用于生長(zhǎng)化合物半導(dǎo)體材料的各組分和摻雜劑都是以氣態(tài)的方式通入反應(yīng)室,因此,可以通過(guò)控制氣態(tài)源的流量和通斷時(shí)間來(lái)控制外延層的組分、摻雜濃度、厚度等??梢杂糜谏L(zhǎng)薄層和超薄層材料。1234a3211
包括Ⅲ族金屬有機(jī)化合物、V族氫化物及摻雜源的供給。金屬有機(jī)化合物裝在特制的不銹剛的鼓泡器中,由通入的高純H2攜帶輸運(yùn)到反應(yīng)室。1234a3211
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