1、紫外芯片的波段
目前,世界上研究近紫外led的機(jī)構(gòu)主要有日本的日亞Nichia,Toshiba公司和美國(guó)的Cree公司,臺(tái)灣的國(guó)立中興大學(xué),韓國(guó)的Optowell公司及國(guó)內(nèi)的北京大學(xué)等。
日本憑借其在藍(lán)光LED領(lǐng)域的先發(fā)優(yōu)勢(shì),在UV-LED方面的進(jìn)展舉世矚目。尤其是日亞公司,在365nmUV-LED的研究上遙遙領(lǐng)先;美國(guó)在深紫外的研究方面領(lǐng)先,但是近年已經(jīng)被日本超越;中國(guó)臺(tái)灣和韓國(guó)起步相對(duì)較晚,但在該領(lǐng)域也取得了一些進(jìn)展;國(guó)內(nèi)在該領(lǐng)域近年來發(fā)展很快,但與海外相比差距還比較大。
紫外LED芯片主要是GaN類半導(dǎo)體,目前通過調(diào)節(jié)反應(yīng)條件和反應(yīng)工藝已可以實(shí)現(xiàn)深紫外(λ<300nm)、紫外(300nm<λ<380nm)和近紫外(380nm<λ)芯片的制備。具體的芯片波長(zhǎng)包括:250±5nm,260±5nm,270±5nm,280±5nm,290±5nm,300±5nm,310±5nm,320±5nm,330±5nm,340±5nm,350±5nm,360±5nm,370±5nm,380±5nm,390±5nm,400±5nm,410±5nm,420±5nm等。
2、紫外芯片的廠商及其產(chǎn)品性能
對(duì)于紫外芯片,目前小于370nm的紫外LED的發(fā)射強(qiáng)度極低,尚沒有實(shí)用價(jià)值,現(xiàn)紫外LED芯片研制和生產(chǎn)領(lǐng)域都在努力提高370~42推薦:www.zhongyifengliao.com www.5060333.com www.bddanfengyan.com www.ruxianzhiliaowang.com
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0nm波段的芯片效率。
在紫外芯片廠商中,比較有代表性的是日本的日亞、美國(guó)的Cree和SemiLEDs等。其中日本日亞公司能提供的輻射能為22 mW,外量子效率為35.5%,波長(zhǎng)為400 nm的紫外芯片,美國(guó)cree公司則可以提供的輻射能為21 mW的395nm~410 nm的紫外芯片。另外臺(tái)灣現(xiàn)在可以向市場(chǎng)提供4 mW左右的紫外芯片,臺(tái)灣紫外芯片的實(shí)驗(yàn)室水平可以實(shí)現(xiàn)7~8 mW的水平。而國(guó)內(nèi)的公司可以向市場(chǎng)提供2 mW左右的紫外芯片。下表為目前生產(chǎn)360nm以上波長(zhǎng)紫外芯片有代表性的公司及其相應(yīng)產(chǎn)品的性能。
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