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[供應(yīng)]JKZC-ST4型半導(dǎo)體材料數(shù)字式四探針測(cè)試儀
- 產(chǎn)品產(chǎn)地：
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- 產(chǎn)品數(shù)量：0
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- 產(chǎn)品單價(jià)：0
- 更新日期：2023-12-27 14:36:06
- 有效期至：2024-12-26
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JKZC-ST4型半導(dǎo)體材料數(shù)字式四探針測(cè)試儀
詳細(xì)信息
JKZC-ST4型半導(dǎo)體材料數(shù)字式四探針測(cè)試儀
關(guān)鍵詞：電阻，電阻率，四探針，半導(dǎo)體
薄膜探頭測(cè)薄膜 鎢針探頭
一、產(chǎn)品概述
JKZC-ST4型數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量儀器。該儀器設(shè)計(jì)符合GB/T1551-2009《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針法》并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。
儀器具有測(cè)量精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、智能化程度高、測(cè)量簡便、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等特點(diǎn)。
儀器適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、高等院校對(duì)導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測(cè)試。
二、符合：
1、符合GB/T1551-2009《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、
2、符合GB/T1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針法》
3、符合美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)
二、產(chǎn)品應(yīng)用：
1、測(cè)試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻；
2、可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜電阻率/方阻
3、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜（ITO膜）電阻率/方阻
4、納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻
5、電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻進(jìn)行測(cè)量
6、可測(cè)試電池極片等箔上涂層電阻率方阻
二、基本技術(shù)參數(shù)
1、 測(cè)量范圍
電 阻：1×10-4～2×105Ω ，分辨率：1×10-5～1×102Ω
電阻率：1×10-4～2×105Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102Ω-cm
方 阻：5×10-4～2×105Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102Ω/□
靜壓電系數(shù)：0-2000PC/N（另配）
2、測(cè)量方式：自動(dòng)或手動(dòng)
3、基本精度：±0.1/%
4、四探針探頭：
(1)碳化鎢探針：Φ0.5mm，直線探針間距1.0mm，探針壓力:0～2kg可調(diào)
(2)薄膜方阻探針：Φ0.7mm，直線或方形探針間距2.0mm，探針壓力:0～0.6kg可
5.電源：198V－242V(AC），47.5Hz－63Hz
6、操作環(huán)境： 0°C－40°C，≤90%RH
7、外形尺寸：200mm（長）×220mm（寬）×100mm（高）
8、數(shù)據(jù)傳輸方式；USB
9、軟件方式：人性化分析軟件界面，數(shù)據(jù)自動(dòng)生成
10、可以配合壓電材料的靜壓電d33系數(shù):0-2000PC/N
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