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[供應(yīng)]供應(yīng)外延硅片
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  • 產(chǎn)品產(chǎn)地:哈爾濱
  • 產(chǎn)品品牌:外延硅片
  • 包裝規(guī)格:外延硅片
  • 產(chǎn)品數(shù)量:1000
  • 計(jì)量單位:片
  • 產(chǎn)品單價(jià):0
  • 更新日期:2016-09-26 12:05:32
  • 有效期至:2026-09-24
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供應(yīng)外延硅片 詳細(xì)信息

  哈爾濱特博科技公司加工定制各種硅外延片,可接受批量訂單。出口品質(zhì),

一、硅外延的定義
硅外延工藝實(shí)際上是一種薄層的單晶生長技術(shù),它是在一定的條件下,在硅單晶的襯底片上,沿單晶的結(jié)晶方向生長一層具有一定導(dǎo)電類型,電阻率、厚度、晶格結(jié)構(gòu)與體單晶一致的新單晶層。
二、硅外延生長工藝的優(yōu)點(diǎn)
1、 生長溫度比它本身的熔點(diǎn)要低
2、 可以獲得純度高、缺陷少的單晶薄層
3、 由于摻雜工藝靈活,可以獲得多種結(jié)構(gòu)的單晶或多層外延便于器件參數(shù)結(jié)構(gòu)的調(diào)整
三、硅外延工藝的分類
1、 按結(jié)構(gòu)分類  同質(zhì)外延——即外延層在結(jié)構(gòu)與性質(zhì)上與襯底材料相同,例如N/N+,P/P+
                    異質(zhì)外延——即外延層在結(jié)構(gòu)與性質(zhì)上與襯底材料不同,例:SOI(絕緣襯底上外延)
2、 按外延層的厚度和電阻率分類                                   
厚度和電阻率均可按客戶要求精確控制
3、 按外延生長方法分類
直接法——不經(jīng)過中間化學(xué)反應(yīng),硅原子直接從源轉(zhuǎn)移到襯底片上形成外延層,例:真空濺射法,分子束外延(物理法)液相外延等等
間接法——通過還原或分解硅化合物得到所需要的硅原子,然后在襯底上淀積形成外延層,我們的硅外延就屬于間接生長工藝
四、硅外延的基本原理
1、四種硅源的化學(xué)反應(yīng)及其優(yōu)點(diǎn)
表一.硅烷和氯硅烷外延
硅源 熔點(diǎn)(℃) 沸點(diǎn)(℃) 化學(xué)反應(yīng)式 淀積壓力 溫度范圍 典型生長速率um/min
SiCl4 -68 57.6 SiCl4+2H2=Si+4HCl 常壓減壓 1150-1200 0.5-1.2
SiHCl3 -127 31.8 SiHCl3+H2=Si+3HCl 常壓減壓 1100-1150 1.0-3
SiH2Cl2 -122 8.3 SiH2Cl2=SI+2HCl 常壓減壓 1050-1100 0.5-2
SiH4 -185 -112 SiH4=Si+2H2 常壓減壓 900-1000 0.1-0.5

2、硅外延的生長過程
硅的化學(xué)氣相沉積外延生長其原理是在高溫(>1100℃)的襯底上輸送硅的化合物(SiHCl3或SiCl4或SiH2Cl2等)利用氫(H2)在襯底上通過還原反應(yīng)析出硅的方法。
氣相外延生長過程包括:
(1)反應(yīng)劑(SiCl4或SiHCl3+H2)氣體混合物質(zhì)量轉(zhuǎn)移到襯底表面;
    (2)吸收反應(yīng)劑分子在表面上(反應(yīng)物分子穿過附面層向襯底表面遷移);
    (3)在表面上進(jìn)行反應(yīng)得到硅原子及其副產(chǎn)物;
    (4)釋放出副產(chǎn)物分子;
    (5)副產(chǎn)物分子向主氣流質(zhì)量轉(zhuǎn)移;(排外)
    (6)硅原子先在生長層表面形成原子集團(tuán)——晶核,接著加接到晶核上,使晶核增大,形成新的晶面。

 

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