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[供應(yīng)]砷化銦 InAs wafer
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  • 產(chǎn)品產(chǎn)地：哈爾濱
  • 產(chǎn)品品牌：砷化銦
  • 包裝規(guī)格： InAs wafer
  • 產(chǎn)品數(shù)量：1000
  • 計(jì)量單位：片
  • 產(chǎn)品單價(jià)：0
  • 更新日期：2016-09-26 12:05:26
  • 有效期至：2026-09-24
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砷化銦 InAs wafer 詳細(xì)信息

         

 

Typical Electrical Properties

Dopant available

S

Zn

Undoped

Type of conductivity

N

P

P

Concentration ( cm -3 )

1E17 - 3E18

1E17 - 5E18

x

Hall Mobility ( cm2 / v.s. ) 

10000 - 25000

100 - 500

> 20000

 

Standard Specification

Growth method

LEC

Diameter ( mm )

50.8

Thickness ( um )

500 +/-25 um

Conductivity

Semi-conducting

Orientation

< 100> ， < 111> ， < 110>

Off orientation

From 2° to 10° off

Flat options

EJ or US SEMI. Std .

Surface finish

One side or two sides polished

EPD ( cm-2)

< 15000 or < 50000

Grade

Epi polished grade ， mechanical grade

Package method

Single wafer container with outer foil bag

 

 

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