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2SC3356-R25硅超高頻低噪聲功率管是一種基于N型外延層的晶體管，因?yàn)樵撔吞?hào)放大倍數(shù)為125-250檔的命名為R25，并且塑封體本體上印字為R25，所以簡(jiǎn)稱為R25三極管。該三極管具有高功率增益、低噪聲特性、大動(dòng)態(tài)范圍和理想的電流特性。主要應(yīng)用于超高頻低噪聲功率管主要應(yīng)用于VHF，UHF，CATV，無線遙控、射頻模塊等高頻寬帶低噪聲放大器。該芯片原產(chǎn)于NEC公司，現(xiàn)在國(guó)內(nèi)也有生產(chǎn)。目前我司高頻微波三極管系列，包括2SC3356，2SC3357，BFQ591，2SC4226，BFR540，BFR520等，其性能指標(biāo)同NEC、philips同類產(chǎn)品相同。 

2SC3356電性能參數(shù)（TA=25℃）：

擊穿電壓:V(BR)CEO=12V，V(BR)CBO=20V，V(BR)EBO=3.0V  　　直流放大系數(shù)hFE:40～250  @VCE=3V，IC=7mA  　　集電極-基極截止電流ICBO:100nA(最大值)  　　發(fā)射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值)  　　特征頻率fT:5.0GHz@VCE=3V，IC=7mA  　　集電極允許電流IC：0.1（A）  　　集電極最大允許耗散功率PT：0.2（W）  　　插入功率增益∣S21∣：9dB@IC=7mA，VCE=3V，f=1GHz  　　噪聲系數(shù)NF：1.2dB@IC=7mA，VCE=3V，f=1GHz  　　反饋電容Cre：0.65  pF  @  IC=ic=0，VCB=10V，f=1MHz。  　　貯存溫度Tstg:-65~150℃  　　封裝形式：SOT-23，或者SOT-323，或者SC-59  　　功率特性：中功率  　　極性：NPN型  　　結(jié)構(gòu)：擴(kuò)散型  　　材料：硅(Si)  　　封裝材料：塑料封裝 

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